Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Hebali M$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 6 Представлено документи з 1 до 6 |
|||
| 1. | Djerioui M. A graphical method to study electrostatic potentials of 25 nm channel length DG SOI MOSFETs / M. Djerioui, M. Hebali, D. Chalabi, A. Saidane // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 4. - С. 04027-1-04027-4. - Бібліогр.: 21 назв. - англ. To determine electrostatic potentials in silicon channel of undoped DG SOI MOSFET devices, a graphical approach is proposed. The method keeps close to experimental reality by taking into account flat band potential at reduced channel lengths up to 25 nm. This graphical method solves a transcendental equation of Poisson's equation to obtain electrostatic potentials at center and surface of device as a function gate and drain bias voltages. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.116.641 Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 2. | Hebali M. BSIM3v3 characterization and simulation of MOS Sisub1-x/subGesubx/sub transistors with 130 nm submicron technology = BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Sisub1-x/subGesubx/sub за 130 нм субмікронною технологією / M. Hebali, M. Bennaoum, M. Benzohra, D. Chalabi, A. Saidane // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 4. - С. 04021-1-04021-6. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 3. | Berbara D. An ultra-low power, high SNM, high speed and high temperature of 6T-SRAM cell in 3C - SiC 130 nm CMOS technology = Комірка пам'яті 6T-SRAM з наднизьким енергоспоживанням, високим SNM, швидкодією і високою температурою в 3C - SiC за 130 нм технологією CMOS / D. Berbara, M. Abboun Abid, M. Hebali, M. Benzohra, D. Chalabi // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 4. - С. 04024-1-04024-4. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 4. | Hebali M. Characteristics and electrical parameters of silicon nanowires (SiNWs) solar nanocells = Характеристики та електричні параметри сонячних наноелементів з кремнієвих нанодротів (SiNWs) / M. Hebali, M. Bennaoum, H. A. Azzeddine, B. Ibari, M. Benzohra, D. Chalabi // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 6. - С. 06033-1-06033-4. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | |||
| 5. | Djerioui M. Impact of device sizing on electrical properties of DG-SOI-MOSFET using Octave software = Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave / M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2022. - 14, № 5. - С. 05025-1-05025-4. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
| ||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | |||
| 6. | Hebali M. Improving the electrical properties of ITO/Si/GaAs/Si/ITO solar cell by changing the GaAs layer position = Покращення електричних властивостей сонячного елемента типу ITO/Si/GaAs/Si/ITO при зміні розташування проміжного шару GaAs / M. Hebali, M. Bennaoum, H. A. Azzeddine, B. Ibari, A. Maachou, D. Chalabi // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - 15, № 1. - С. 01023-1-01023-4. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
| ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського